本文指出：Onsemi Cascode FET（碳化硅Casgate田间效应晶体管）在硬开关和软开关应用方面具有许多好处。本文将重点关注cascode结构。 cascode硅碳化合物连接场效应晶体管（SIC JFET）的引入对其他竞争技术有一些重大好处，尤其是在给定的芯片区域中的耐耐性（称为RDS.A）。为了达到最低的rds.a，需要权衡的一件事是其通常的开放属性，这意味着，如果没有电压门资源，或者JFET门处于悬而未决的状态，则JFET完全是。但是，转移模式通常需要应用程序中的正常状态。因此，将SIC JFET合并到cascode调节中的低压硅MOSFET中，这是一种正常的“ FET”开关模式，这种结构维持SIC JFET的大部分好处。 cascode结构cascode结构由与SIC JFET系列的连接组成电压，通常是封闭的硅（SI）MOSFET，其中JFET门连接到MOSFET源。 MOSFET运河的源电压是JFET栅极源电压的旋转阶段，该电压提供通常是正常关闭特性的cascode结构。当内部MOSFET打开或反向电流时，该结构会阻止源源电压的额定源范围内部的电流，而不管cascode门的电压如何，JFET的栅极源电压几乎为零，JFET在ON的状态下。当MOSFET关闭并且在整个cascode中都有正VD（排水源电压）时，MOSFE的VDST将增加，同时JFET栅极电压的电压将降低到JFET下的阈值电压，从而杀死JFET。参见图1。图1 cascode cascode调整结构使用并排芯片，如图2（a）或堆叠芯片，如图2（b）所示。在bOTH案例，SIC JFET通常在铅架包装中烧结。图2与并排调整的离散cascode结构，将MOSFET安装在具有两组资源连接线的金属涂层陶瓷隔离器上：一种连接JFET源和MOSFET源（金属涂层陶瓷的顶部表面），以及其他连接MOSFET源和源源。在堆叠的芯片调整中，JFET资源和MOSFET运河之间的连接线被取消，从而降低了流浪的电感。并使用较小的直径连接线来连接JFET和MOSFET门。该MOSFET是为cascode结构设计的，主动雪崩电压区域设置为几乎25V。 MOSFET是根据30V硅的过程制作的，这是一个低抗性的RDS（ON），通常仅占JFET的10％，并且反向恢复电荷QRR和其他属性较低。 JFET用于阻断高压。大多数损失和损失集中在JFET中。图3 cascode向前和反向电流操作cascode On-Rescode RDS（ON）包括MOSFET的SIC JFET和低压电阻。当关闭cascode门时，反向电流流过MOSFET主体的二极管，因此自动将JFET自动流动，如图3（b）所示。在这种情况下，源水电压是MOSFET体的二极管电压的崩溃，以及JFET对耐耐压电压的崩溃。由于cascode中的MOSFET是由硅制成的，因此关闭栅极时的源水电压小于类似的SIC MOSFET。当栅极升起时，cascode结构在正向和反向电流上都具有相同的传导损失。 cascode门电压的范围非常适应两个因素。首先，门是MOSFET门，在室温下，阈值电压接近5 V，而没有负门电压。栅极电压范围为±20 V，没有THreshold电压漂移或磁滞，并内置了门保护。其次，cascode具有很高的好处。图4显示了cascode输出特性，UJ4SC075005L8S，750 V，5.4MΩ的生成堆叠芯片结构在25°C下（MO -229）包装。请注意，当cascode栅极源的电压超过约8V时，电导率变化很小。当MOSFET启动时，JFET完全升起。这意味着可以使用0到10 V的引导电压推动cascode，从而降低栅极驱动器的功率和成本。另一方面，更大的栅极电压范围（例如-5至+18 V）不会造成设备损坏。图5 cascode电容图5（a）显示了改变MOSFET和JFET芯片容量的曲线。请注意，图5（b）中的JFET门电阻RJG不是单独的电阻，而是JFET芯片的一部分。 GRI的主要区别之一PCASCODES和其他功率晶体管是没有门泄漏电容器。当源VDS电压超过JFET阈值的电压时，CRSS实际上降至零。这是因为JFET没有运河源的能力（PN交界处或身体二极管产生了这种能力）。这意味着，在电压转换过程的传输过程中，cascode的DVD/DT主要由外部电路组成，而不是由Ode Gate电阻定义的CASCT。 cascode的MOSFET转移速度可以通过电阻对其门进行调节，而JFET传输速度由MOSFET稍微确定，并由外部电路部分确定。这解释了为什么在硬开关的情况下，cascode结构需要使用运河资源缓冲电路（SNUBBER）来控制关闭速度并抑制电压过高，这将在下面说明。所有JFET输出电容器（包括门和电容器电容器）ARe大门和排水能力。 cascode输出电容器COSS大约等于JFET栅极电量电容器。 cascode输入电容器CISS主要来自cascode MOSFET的电容器。